Уважаемые родители будущих первоклассников, огромное спасибо за предоставленную информацию! Со списками классов-комплектов вы можете ознакомиться в фойе школы.
Учащиеся нашей школы под руководством учителя Шакировой Венеры Фатхулловны приняли участие в XVII Всероссийской конференции учащихся «Шаги в науку», которая состоялась с 26 по 28 апреля 2017 г. в рамках программы «Интеллектуально-творческий потенциал России», организаторами которой является Общероссийская Малая академия наук «ИНТЕЛЛЕКТ БУДУЩЕГО», при поддержке Федерального агентства по делам молодежи Министерства образования и науки РФ и Института атомной энергетики Национального исследовательского ядерного университета МИФИ (ИАТЭ НИЯУ МИФИ). Ребята с достоинством защитили свои работы и стали лауреатами I , II и III сте
... Читать дальше »
Уважаемые родители, ознакомьтесь с новым сервисом по предоставлению государственной услуги "Предоставление информации о текущей успеваемости учащегося, ведение электронного дневника и электронного журнала успеваемости" через мобильное приложение "Госуслуги ХМАО".
Уважаемые родители! Объявляется набор детей (с 1 по 6 класс включительно) в пришкольный лагерь с 01 по 26 июня. Режим работы лагеря с 8.30 до 14.30. Документы, необходимые для лагеря: паспорт родителя, копия свидетельства о рождении ребенка (в файле). Просим лично прийти для подачи заявления по графику: понедельник – пятница с 13 до 14.30, суббота с 10.30 до 15.00 в кабинет № 14 (2 этаж) к Левченко Светлане Николаевне.
Учащиеся нашей школы под руководством учителя Шакировой Венеры Фатхулловны приняли участие в XVII Всероссийской конференции учащихся «Шаги в науку», которая состоялась с 26 по 28 апреля 2017 г. в рамках программы «Интеллектуально-творческий потенциал России», организаторами которой является Общероссийская Малая академия наук «ИНТЕЛЛЕКТ БУДУЩЕГО», при поддержке Федерального агентства по делам молодежи Министерства образования и науки РФ и Института атомной энергетики Национального исследовательского ядерного университета МИФИ (ИАТЭ НИЯУ МИФИ). Ребята с достоинством защитили свои работы и стали лауреатами I , II и III сте
